來源：EETOP

英特爾正依托當前持續(xù)旺盛的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）市場需求，與軟銀旗下子公司達成合作，推出全新的ZAM內(nèi)存技術。

英特爾ZAM內(nèi)存模組：憑創(chuàng)新互連與EMIB技術實現(xiàn)更高能效

今年，人工智能基礎設施建設迎來全面爆發(fā)期，在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商和芯片制造商的需求驅(qū)動下，DRAM的市場需求呈爆發(fā)式增長。更關鍵的是，全球內(nèi)存核心供應商數(shù)量有限，當前該領域的供應鏈瓶頸問題極為突出，這也讓新競爭者的入局成為行業(yè)剛需——據(jù)悉，英特爾正瞄準這一機遇，在內(nèi)存業(yè)務板塊開辟全新賽道。有消息稱，英特爾將與軟銀旗下的Saimemory聯(lián)手，研發(fā)名為Z型角度內(nèi)存（Z-Angle Memory，ZAM）的全新行業(yè)標準。

據(jù)悉，ZAM內(nèi)存技術的研發(fā)工作，最早啟動于美國能源部（DoE）發(fā)起的先進內(nèi)存技術（AMT）項目，英特爾也正是在該項目中，首次對外展示了其自研的“下一代”DRAM鍵合技術。軟銀發(fā)布的官方公告中，并未具體明確ZAM內(nèi)存的市場定位，但結(jié)合英特爾已公開的DRAM鍵合技術細節(jié)來看，ZAM大概率會采用交錯式互連拓撲結(jié)構(gòu)：在芯片堆疊內(nèi)部以對角線方式布設連接線路，而非傳統(tǒng)技術中垂直直連的設計。

英特爾高管在談及下一代DRAM鍵合技術時表示：“傳統(tǒng)內(nèi)存架構(gòu)已無法適配人工智能的發(fā)展需求，下一代DRAM鍵合技術（NGDB）開創(chuàng)了全新的技術路徑，將推動行業(yè)邁入下一個十年。我們正重新思考DRAM的架構(gòu)設計邏輯，從底層推動計算機系統(tǒng)架構(gòu)的升級，力求實現(xiàn)性能的數(shù)量級提升，并將這些創(chuàng)新成果融入行業(yè)通用標準。”

通過Z型角度的互連設計，英特爾能將硅片面積的絕大部分高效用于存儲單元的布局，從而實現(xiàn)更高的存儲密度，同時降低器件熱阻。從英特爾DRAM鍵合技術的現(xiàn)有設計思路來看，ZAM內(nèi)存還將采用銅-銅混合鍵合技術，該技術可實現(xiàn)芯片層間的高效融合，打造出類單片式的硅晶片模塊，而非傳統(tǒng)技術中相互獨立的堆疊結(jié)構(gòu)。此外，據(jù)悉ZAM內(nèi)存將采用無電容設計，英特爾會通過嵌入式多芯片互連橋接技術（EMIB），實現(xiàn)該內(nèi)存與人工智能芯片的高效互連。

軟銀與英特爾合作研發(fā)ZAM內(nèi)存，最終也將實現(xiàn)對內(nèi)存堆疊技術的自主掌控。這款技術或?qū)⒙氏却钶d于軟銀自研的定制化專用集成電路（ASIC），比如Izanagi系列芯片，這也將讓軟銀在芯片架構(gòu)布局上掌握更強的主導權(quán)。目前尚無具體數(shù)據(jù)披露ZAM內(nèi)存相較高帶寬內(nèi)存（HBM）的實際性能提升幅度，但Z型角度的互連設計，能為ZAM帶來更優(yōu)的能效和更高的存儲密度，最終實現(xiàn)芯片的更高層數(shù)堆疊。

整體來看，ZAM內(nèi)存對比傳統(tǒng)HBM內(nèi)存的核心優(yōu)勢體現(xiàn)在三方面：

1.功耗降低40%至50%；

2.依托Z型角度互連技術，大幅簡化芯片制造流程；

3.單芯片存儲容量提升，最高可達512GB。

事實上，這并非英特爾首次涉足DRAM領域。該公司曾專門布局DRAM業(yè)務，但在1985年，受日本廠商的激烈競爭沖擊，英特爾的DRAM市場份額大幅下滑，最終選擇退出該領域。而如今，內(nèi)存市場的發(fā)展紅利為企業(yè)創(chuàng)造了巨大的發(fā)展機遇，英特爾的ZAM內(nèi)存能否在行業(yè)中站穩(wěn)腳跟、掀起變革，成為了行業(yè)關注的焦點。而想要實現(xiàn)這一目標，英特爾的關鍵一步，便是說服英偉達這類行業(yè)龍頭企業(yè)，在其產(chǎn)品中集成ZAM技術。

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